Transistor Darlington, TIP122, NPN 8 A, 100 V, HFE:1000, TO-220, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
9.15mm
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Ancho
4.6mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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Through Hole
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Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
9.15mm
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10.4 x 4.6 x 9.15mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
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Ancho
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