Transistor, MJD31C1G, NPN 3 A 100 V IPAK (TO-251), 3 pines, 1 MHz, Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
3 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
10
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 Vdc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 2.38 x 6.22mm
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
15
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Ganancia Mínima de Corriente DC
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Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 MHz
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