Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
3 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
10
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 MHz
Conteo de Pines
4
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
6.73 x 2.38 x 6.22mm
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P.O.A.
75
P.O.A.
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Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
3 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
10
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 MHz
Conteo de Pines
4
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
6.73 x 2.38 x 6.22mm