Transistor MOSFET Vishay SI2333DS-T1-E3, VDSS 12 V, ID 4.1 A, TO-236 de 3 pines

Brand

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4.1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

12 V

Tipo de Encapsulado

TO-236

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

32 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

750 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

11,5 nC a 4,5 V

Anchura

1.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.04mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.02mm