MOSFET Vishay SI2333DDS-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
19 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC a 8 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
1.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.02mm
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 35,39
€ 0,354 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 35,39
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Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
100
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,354 | € 3,54 |
| 500 - 990 | € 0,321 | € 3,21 |
| 1000 - 2490 | € 0,301 | € 3,01 |
| 2500+ | € 0,283 | € 2,83 |
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Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
19 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC a 8 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
1.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Altura
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