Transistor MOSFET Vishay SI2315BDS-T1-E3, VDSS 12 V, ID 3 A, TO-236 de 3 pines

Código de producto RS: 710-4685PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI2315BDS-T1-E3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

12 V

Tipo de Encapsulado

TO-236

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.45V

Disipación de Potencia Máxima

750 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.04mm

Anchura

1.4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.02mm

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Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

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TO-236

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 mΩ

Modo de Canal

Mejora

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0.45V

Disipación de Potencia Máxima

750 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

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