Transistor MOSFET International Rectifier IRLML6401, VDSS 12 V, ID 4,3 A, SOT-23 de 3 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.05mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 5 V
Profundidad
1.4mm
Series
HEXFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.01mm
Price on asking
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
5
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Tipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.05mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 5 V
Profundidad
1.4mm
Series
HEXFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.01mm