MOSFET Infineon IRLML6401TRPBF, VDSS 12 V, ID 4.3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.95V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 5 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Altura
1.02mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 12 V a 20 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 2,02
€ 0,404 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,404 | € 2,02 |
| 50 - 245 | € 0,344 | € 1,72 |
| 250 - 495 | € 0,263 | € 1,32 |
| 500 - 1245 | € 0,222 | € 1,11 |
| 1250+ | € 0,182 | € 0,91 |
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12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.95V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Material del transistor
Si
Altura
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Tensión de diodo directa
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Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 12 V a 20 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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