MOSFET Infineon IRL520NPBF, VDSS 100 V, ID 10 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 919-4870Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRL520NPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Series

LogicFET

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

48000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±16 V

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 5 V

Número de Elementos por Chip

1

Altura

8.77mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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Tensión de umbral de puerta máxima

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1V

Disipación de Potencia Máxima

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Temperatura de Funcionamiento Mínima

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