MOSFET Infineon IRL520NPBF, VDSS 100 V, ID 10 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Series
LogicFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
48000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
8.77mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Empaque de Producción (Tubo)
1
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Tipo de Montaje
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Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
48000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
8.77mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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