MOSFET Infineon IRF9362TRPBF, VDSS 30 V, ID 8 A, SOIC de 8 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26 nC a 15 V
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
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Comprar en grandes cantidades
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 25 - 100 | € 0,652 | € 16,29 |
| 125 - 225 | € 0,509 | € 12,72 |
| 250 - 600 | € 0,476 | € 11,89 |
| 625 - 1225 | € 0,442 | € 11,06 |
| 1250+ | € 0,41 | € 10,26 |
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P
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
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Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
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Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
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