MOSFET Infineon IRF9362PBF, VDSS 30 V, ID 8 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Brand

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

32 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

26 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5mm

Profundidad

4mm

Material del transistor

Si

Series

HEXFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.5mm