MOSFET Infineon IRF4905PBF, VDSS 55 V, ID 74 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 540-9799Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF4905PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

74 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

55 V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

200000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

8.77mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

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4€ 7,01
5€ 8,76
6€ 10,52
7€ 12,27
8€ 14,02
9€ 15,77
10€ 16,69
11€ 18,36
12€ 20,03
13€ 21,70
14€ 23,37
15€ 25,04

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3

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20 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

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Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Temperatura Máxima de Funcionamiento

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Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

8.77mm

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La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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