Transistor MOSFET International Rectifier IRF4905PBF, VDSS 55 V, ID 74 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

74 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

55 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

200000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Series

HEXFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

8.77mm