Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
1.4 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Ancho
4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.55mm
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P.O.A.
Estándar
10
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VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
1.4 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Ancho
4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.55mm