MOSFET Vishay Si4134DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9.9 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 710-3320Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: Si4134DY-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

9.9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15,4 nC a 10 V, 7,3 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.5mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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N

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Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15,4 nC a 10 V, 7,3 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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