MOSFET de potencia canal N,IRF640

Código de producto RS: 485-9165Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: IRF640
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

18 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-200 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

55 nC a 10 V

Altura

15.75mm

Ancho

4.6mm

Te podría interesar
Información de stock no disponible temporalmente.

Price on asking

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET de potencia canal N,IRF640

5

Disponible en múltiplos de 5
5Price on asking
10Price on asking
15Price on asking
20Price on asking
25Price on asking
30Price on asking
35Price on asking
40Price on asking
45Price on asking
50Price on asking
55Price on asking
60Price on asking
65Price on asking
70Price on asking
75Price on asking

Price on asking

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET de potencia canal N,IRF640
Información de stock no disponible temporalmente.

5

Disponible en múltiplos de 5
5Price on asking
10Price on asking
15Price on asking
20Price on asking
25Price on asking
30Price on asking
35Price on asking
40Price on asking
45Price on asking
50Price on asking
55Price on asking
60Price on asking
65Price on asking
70Price on asking
75Price on asking

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

Te podría interesar

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

18 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-200 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

55 nC a 10 V

Altura

15.75mm

Ancho

4.6mm

Te podría interesar