Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
9.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
5mm
Profundidad
4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,4 nC a 10 V, 7,3 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,691 | € 6,91 |
100 - 240 | € 0,649 | € 6,49 |
250 - 490 | € 0,588 | € 5,88 |
500 - 990 | € 0,554 | € 5,54 |
1000+ | € 0,519 | € 5,19 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
9.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
5mm
Profundidad
4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,4 nC a 10 V, 7,3 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.5mm
País de Origen
China
Datos del producto