MOSFET Wolfspeed C3M0065100K, VDSS 1.000 V, ID 35 A, TO-247-4 de 4 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Tipo de Encapsulado
TO-247-4
Serie
C3M
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
113.5 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +19 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35 nC a 15 V, 35 nC a 4 V
Profundidad
5.21mm
Material del transistor
SiC
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
4.8V
Altura
23.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de carburo de silicio, serie C3M, Cree Inc.
Nueva tecnología MOSFET de carburo de silicio (SiC) C3M
Tensión de ruptura de drenaje de tensión mínima de 1.000 V en todo el rango de temperatura de funcionamiento:
Nuevo encapsulado de baja impedancia con fuente de controlador
8 mm de recorrido/distancia entre fuente y drenador
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia de salida
Alta tensión de bloqueo con resistencia baja de estado de fuente-drenador
Robustez de avalancha
Diodo intrínseco rápido con recuperación inversa baja
MOSFET Transistors, Cree Inc.
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Serie
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Tipo de montaje
Through Hole
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4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
113.5 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +19 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35 nC a 15 V, 35 nC a 4 V
Profundidad
5.21mm
Material del transistor
SiC
Número de Elementos por Chip
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Tensión de diodo directa
4.8V
Altura
23.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de carburo de silicio, serie C3M, Cree Inc.
Nueva tecnología MOSFET de carburo de silicio (SiC) C3M
Tensión de ruptura de drenaje de tensión mínima de 1.000 V en todo el rango de temperatura de funcionamiento:
Nuevo encapsulado de baja impedancia con fuente de controlador
8 mm de recorrido/distancia entre fuente y drenador
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia de salida
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