Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 7.4 A, 40 V, 6-Pin TSOP-6 SQ3419EV-T1_GE3

Código de producto RS: 787-9452PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SQ3419EV-T1_GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

7.4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

TSOP-6

Series

SQ Rugged

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

78 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 4,5 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

3.1mm

Anchura

1.7mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 1,71

€ 0,171 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 7.4 A, 40 V, 6-Pin TSOP-6 SQ3419EV-T1_GE3
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Series

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Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

78 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 4,5 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

3.1mm

Anchura

1.7mm

Material del transistor

Si

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1

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