MOSFET Vishay SI4162DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 13.6 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
13.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V, 8,8 nC a 4,5 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 3,68
€ 0,737 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,737 | € 3,68 |
| 50 - 245 | € 0,694 | € 3,47 |
| 250 - 495 | € 0,628 | € 3,14 |
| 500 - 1245 | € 0,589 | € 2,95 |
| 1250+ | € 0,554 | € 2,77 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
13.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V, 8,8 nC a 4,5 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
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