MOSFET Vishay SI1032R-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 200 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
280 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
0.86mm
Largo
1.68mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
750 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.8mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 295,94
€ 0,099 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Disipación de Potencia Máxima
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Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Si
Temperatura máxima de funcionamiento
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