MOSFET Vishay IRFP250PBF, VDSS 200 V, ID 30 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
85 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
140 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 57,35
€ 2,294 Each (In a Tube of 25) (Sin IVA)
25
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25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 2,294 | € 57,34 |
| 50 - 100 | € 2,249 | € 56,22 |
| 125+ | € 2,133 | € 53,33 |
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-200 V
Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
85 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
140 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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