MOSFET Vishay IRF530PBF, VDSS 100 V, ID 14 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
88 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 41,06
€ 0,821 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
€ 41,06
€ 0,821 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
50
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,821 | € 41,06 |
| 100 - 200 | € 0,78 | € 39,00 |
| 250+ | € 0,739 | € 36,94 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
88 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products