Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, luz visible, rango onda λ 450 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Tiempo de Bajada Típico
5µs
Tiempo de Subida Típico
6µs
Número de Canales
1
Maximum Light Current
600µA
Corriente de Oscuridad Máxima
100nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±40 °
Polarity
NPN
Número de Pines
3
Tipo de montaje
Montaje en orificio pasante
Encapsulado
TO-18
Dimensiones del Cuerpo
4.7 x 5.2mm
Corriente del Colector
50mA
Diámetro
4.7mm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Altura
5.2mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Fototransistores series BPW76A y BPW76B
Las series BPW76A y BPW76B de Vishay Semiconductor son una familia de fototransistores NPN de silicio. Están ubicados en encapsulados TO-18 herméticamente sellados con una ventana de cristal. Son sensibles tanto a la radiación por infrarrojos visible como cercana. Los fototransistores BPW76A y BPW76B son ideales para el uso de detectores en circuitos de control y accionamiento electrónicos.
Características de los fototransistores BPW76A y BPW76B:
Encapsulado TO-18
Montaje de orificio pasante
4,7 mm de diámetro
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Ángulo de media intensidad: 40 °
Temperatura de funcionamiento: -40 a +125 °C
IR Phototransistors, Vishay Semiconductor
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1000
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5µs
Tiempo de Subida Típico
6µs
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1
Maximum Light Current
600µA
Corriente de Oscuridad Máxima
100nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±40 °
Polarity
NPN
Número de Pines
3
Tipo de montaje
Montaje en orificio pasante
Encapsulado
TO-18
Dimensiones del Cuerpo
4.7 x 5.2mm
Corriente del Colector
50mA
Diámetro
4.7mm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Altura
5.2mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Fototransistores series BPW76A y BPW76B
Las series BPW76A y BPW76B de Vishay Semiconductor son una familia de fototransistores NPN de silicio. Están ubicados en encapsulados TO-18 herméticamente sellados con una ventana de cristal. Son sensibles tanto a la radiación por infrarrojos visible como cercana. Los fototransistores BPW76A y BPW76B son ideales para el uso de detectores en circuitos de control y accionamiento electrónicos.
Características de los fototransistores BPW76A y BPW76B:
Encapsulado TO-18
Montaje de orificio pasante
4,7 mm de diámetro
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Ángulo de media intensidad: 40 °
Temperatura de funcionamiento: -40 a +125 °C
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