Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJA76EP-T1_GE3

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8L
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
66 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
66 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Anchura
5mm
Material del transistor
Si
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1.07mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
€ 10,25
€ 1,025 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
€ 10,25
€ 1,025 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,025 | € 10,25 |
100 - 490 | € 0,794 | € 7,94 |
500 - 990 | € 0,673 | € 6,74 |
1000+ | € 0,581 | € 5,81 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8L
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
66 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
66 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Anchura
5mm
Material del transistor
Si
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1.07mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China