MOSFET Toshiba TK14G65W,RQ(S, VDSS 650 V, ID 13,7 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 133-2797Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK14G65W,RQ(S
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

13,7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Series

DTMOSIV

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

250 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

130000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

8.8mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

10.35mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

35 nC a 10 V

Altura

4.46mm

Tensión de diodo directa

1.7V

País de Origen

Japan

Datos del producto

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

Información de stock no disponible temporalmente.

€ 10,20

€ 2,04 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET Toshiba TK14G65W,RQ(S, VDSS 650 V, ID 13,7 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

5

Disponible en múltiplos de 5
5€ 10,20
10€ 20,40
15€ 30,61
20€ 40,81
25€ 44,31
30€ 53,17
35€ 62,04
40€ 70,90
45€ 79,76
50€ 84,56
55€ 93,01
60€ 101,47
65€ 109,92
70€ 118,38
75€ 126,84

€ 10,20

€ 2,04 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET Toshiba TK14G65W,RQ(S, VDSS 650 V, ID 13,7 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Información de stock no disponible temporalmente.

5

Disponible en múltiplos de 5
5€ 10,20
10€ 20,40
15€ 30,61
20€ 40,81
25€ 44,31
30€ 53,17
35€ 62,04
40€ 70,90
45€ 79,76
50€ 84,56
55€ 93,01
60€ 101,47
65€ 109,92
70€ 118,38
75€ 126,84

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
5 - 20€ 2,04€ 10,20
25 - 45€ 1,772€ 8,86
50 - 245€ 1,691€ 8,46
250 - 495€ 1,622€ 8,11
500+€ 1,588€ 7,94

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

13,7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Series

DTMOSIV

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

250 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

130000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

8.8mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

10.35mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

35 nC a 10 V

Altura

4.46mm

Tensión de diodo directa

1.7V

País de Origen

Japan

Datos del producto

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more