MOSFET Toshiba TK100E08N1, VDSS 80 V, ID 214 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 796-5077Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK100E08N1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

214 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Series

TK

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

255000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

4.45mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.16mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

130 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

15.1mm

Datos del producto

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 3,13

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 9€ 3,13
10 - 19€ 2,97
20 - 49€ 2,82
50 - 249€ 2,50
250+€ 2,33

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Toshiba

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N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

214 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Series

TK

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

255000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

4.45mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.16mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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