Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
WSON
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2390000 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.55V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
€ 422,39
€ 0,141 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
WSON
Conteo de Pines
6
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2390000 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.55V
Número de Elementos por Chip
1
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Si