Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.7V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Ancho
5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
5.8mm
Material del transistor
Si
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 1,023
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
€ 1,023
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,023 | € 5,12 |
25 - 95 | € 0,901 | € 4,51 |
100 - 245 | € 0,786 | € 3,93 |
250 - 495 | € 0,735 | € 3,67 |
500+ | € 0,695 | € 3,47 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.7V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Ancho
5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
5.8mm
Material del transistor
Si
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto