Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
204 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
5.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.05mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 11,62
€ 2,323 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 11,62
€ 2,323 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 20 | € 2,323 | € 11,62 |
25 - 45 | € 2,206 | € 11,03 |
50 - 120 | € 1,985 | € 9,93 |
125 - 245 | € 1,788 | € 8,94 |
250+ | € 1,699 | € 8,50 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
204 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
5.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.05mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto