Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
128000000 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.65V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
€ 228,79
€ 0,076 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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N
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
128000000 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.65V
Material del transistor
Si
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