Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
285 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
15.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 20,96
€ 2,10 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
€ 20,96
€ 2,10 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Tubo)
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
10 - 99 | € 2,10 |
100 - 499 | € 1,62 |
500 - 999 | € 1,37 |
1000+ | € 1,15 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
285 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
15.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto