MOSFET STMicroelectronics STL60N10F7, VDSS 100 V, ID 60 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
STripFET H7
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.4mm
Ancho
6.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.95mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 17,83
€ 0,713 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
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Empaque de Producción (Rollo)
25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 0,713 | € 3,57 |
| 50 - 120 | € 0,664 | € 3,32 |
| 125 - 245 | € 0,648 | € 3,24 |
| 250+ | € 0,631 | € 3,16 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
STripFET H7
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.4mm
Ancho
6.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.95mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
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