Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Profundidad
6.2mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.6mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
2.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
$ 26,43
$ 2,643 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
$ 26,43
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Empaque de Producción (Rollo)
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Profundidad
6.2mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.6mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
2.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto