Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1700 V
Serie
SCT2H12NZ
Tipo de Encapsulado
TO-3PFM
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.6V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +22 V
Material del transistor
Si
Longitud
16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 18 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
21mm
Tensión de diodo directa
4.3V
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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2
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 8 | $ 8,537 | $ 17,08 |
10 - 18 | $ 7,11 | $ 14,22 |
20 - 98 | $ 7,073 | $ 14,14 |
100 - 198 | $ 6,991 | $ 13,98 |
200+ | $ 6,866 | $ 13,73 |
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Brand
ROHMTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1700 V
Serie
SCT2H12NZ
Tipo de Encapsulado
TO-3PFM
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.6V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +22 V
Material del transistor
Si
Longitud
16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 18 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
21mm
Tensión de diodo directa
4.3V
Datos del producto