MOSFET onsemi NTMFD5C674NLT1G, VDSS 60 V, ID 42 A, DFN de 8 pines, 2elementos

Brand

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

42 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

DFN

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14.4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

37000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

2

Anchura

6.1mm

Largo

5.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,7 nC a 4,5 V

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.05mm

País de Origen

Malaysia