MOSFET onsemi MGSF2N02ELT1G, VDSS 20 V, ID 2,8 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
115 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 4 V
Material del transistor
Si
Ancho
1.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.01mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,344
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,344 | € 6,88 |
| 100 - 180 | € 0,176 | € 3,52 |
| 200 - 980 | € 0,153 | € 3,05 |
| 1000 - 1980 | € 0,131 | € 2,63 |
| 2000+ | € 0,124 | € 2,49 |
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
115 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 4 V
Material del transistor
Si
Ancho
1.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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