Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-200 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-40 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-40 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-0.4 V
Datos del producto
Transistores PNP de pequeña señal, 40 V a 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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1000 - 2000 | € 0,056 | € 56,14 |
3000+ | € 0,054 | € 53,80 |
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PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-200 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
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Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-40 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Conteo de Pines
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Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-0.4 V
Datos del producto
Transistores PNP de pequeña señal, 40 V a 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.