IGBT, FGL35N120FTDTU, N-Canal, 70 A, 1.200 V, TO-264, 3-Pines, 1MHZ Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±25V
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Through Hole
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Corriente Máxima Continua del Colector
70 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tipo de Encapsulado
TO-264
Disipación de Potencia Máxima
368 W
Brand
ON SemiconductorDimensiones
20.2 x 5.2 x 26.4mm
Datos del producto
Conectores hembra telefónicos TAE-NFN
Para conectar un teléfono y dos dispositivos auxiliares (contestador, módem, fax)
AP: montaje superficial
UP: montaje enrasado
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P.O.A.
25
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Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±25V
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Through Hole
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Corriente Máxima Continua del Colector
70 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tipo de Encapsulado
TO-264
Disipación de Potencia Máxima
368 W
Brand
ON SemiconductorDimensiones
20.2 x 5.2 x 26.4mm
Datos del producto
Conectores hembra telefónicos TAE-NFN
Para conectar un teléfono y dos dispositivos auxiliares (contestador, módem, fax)
AP: montaje superficial
UP: montaje enrasado