Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 0,055
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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3000
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,055 | € 164,90 |
6000 - 12000 | € 0,054 | € 161,39 |
15000 - 27000 | € 0,051 | € 154,37 |
30000 - 57000 | € 0,05 | € 150,87 |
60000+ | € 0,049 | € 147,36 |
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Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto