MOSFET IXYS MMIX1T600N04T2, VDSS 40 V, ID 600 A, SMPD de 24 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
600 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
GigaMOS, HiperFET
Tipo de Encapsulado
SMPD
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
24
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
830 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
23.25mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
25.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
590 nC a 10 V
Altura
5.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Germany
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie GigaMOS™
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 697,49
€ 34,875 Each (In a Tube of 20) (Sin IVA)
20
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Profundidad
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Número de Elementos por Chip
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
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Material del transistor
Si
Longitud:
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Altura
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