MOSFET Infineon IRF540NLPBF, VDSS 100 V, ID 33 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 907-5028Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF540NLPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

33 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

I2PAK (TO-262)

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

44 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

130000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

4.83mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

71 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Altura

9.65mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 13,57

€ 1,357 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

MOSFET Infineon IRF540NLPBF, VDSS 100 V, ID 33 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, , config. Simple
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Estándar

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10€ 13,57
20€ 27,15
30€ 40,72
40€ 54,29
50€ 67,86
60€ 81,44
70€ 95,01
80€ 108,58
90€ 122,16
100€ 128,86
110€ 141,74
120€ 154,63
130€ 167,51
140€ 180,40
150€ 193,29

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Información de stock no disponible temporalmente.

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10

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90€ 122,16
100€ 128,86
110€ 141,74
120€ 154,63
130€ 167,51
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
10 - 90€ 1,357€ 13,57
100 - 240€ 1,289€ 12,89
250 - 490€ 1,235€ 12,35
500 - 990€ 1,181€ 11,81
1000+€ 1,098€ 10,98

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N

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100 V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

I2PAK (TO-262)

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

44 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

130000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

4.83mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

71 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Altura

9.65mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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