MOSFET Wolfspeed C3M0280090D, VDSS 900 V, ID 11,5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
360 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
54 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +18 V
Profundidad
21.1mm
Material del transistor
SiC
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,5 nC a 15 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
5.21mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
4.8V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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€ 9,65
€ 4,825 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
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2
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 4,825 | € 9,65 |
| 10 - 28 | € 4,528 | € 9,06 |
| 30 - 58 | € 4,397 | € 8,80 |
| 60 - 118 | € 4,296 | € 8,59 |
| 120+ | € 4,178 | € 8,36 |
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
360 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
54 W
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Profundidad
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1
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Altura
5.21mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
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País de Origen
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MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
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