MOSFET Wolfspeed C3M0280090D, VDSS 900 V, ID 11,5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
360 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
54 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +18 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
21.1mm
Largo
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,5 nC a 15 V
Material del transistor
SiC
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
4.8V
Altura
5.21mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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€ 129,11
€ 4,304 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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€ 4,304 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 4,304 | € 129,11 |
| 150 - 270 | € 4,191 | € 125,74 |
| 300+ | € 4,087 | € 122,62 |
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
360 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
54 W
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-8 V, +18 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
21.1mm
Largo
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SiC
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
4.8V
Altura
5.21mm
País de Origen
China
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MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
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