MOSFET Wolfspeed C2M1000170J, VDSS 1700 V, ID 5,3 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1700 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
78 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-10 V, +25 V
Profundidad
10.99mm
Material del transistor
SiC
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.23mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 20 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
4.57mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
3.8V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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€ 17,46
€ 8,729 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
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2
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 8,729 | € 17,46 |
| 10 - 18 | € 8,19 | € 16,38 |
| 20 - 48 | € 7,99 | € 15,98 |
| 50 - 98 | € 7,779 | € 15,56 |
| 100+ | € 7,562 | € 15,12 |
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Material del transistor
SiC
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1
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Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Tensión de diodo directa
3.8V
País de Origen
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MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
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