MOSFET Wolfspeed C2M1000170D, VDSS 1700 V, ID 5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1700 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
69 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-5 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.21mm
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 20 V, 13 nC a 5 V
Material del transistor
SiC
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
3.8V
Altura
21.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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€ 247,55
€ 8,252 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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30
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 8,252 | € 247,55 |
| 150 - 270 | € 8,037 | € 241,10 |
| 300+ | € 7,839 | € 235,17 |
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5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1700 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
69 W
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-5 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.21mm
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
SiC
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
3.8V
Altura
21.1mm
País de Origen
China
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MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente
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