Diodo, VS-HFA15PB60-N3, Rectificador de recuperación, 15A, 600V Conexión de silicio, 60ns, TO-247AC, 2-Pines 2V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Corriente Continua Máxima Directa
15A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
600V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Rectificador
Rectificador de recuperación
Tipo de Diodo
Rectifier
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
2V
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Tiempo de Recuperación Inverso de Pico
60ns
Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico
150A
Datos del producto
Rectificadores de recuperación ultrarrápida HEXFRED®, Vishay Semiconductor
La gama de productos HEXFRED® de Vishay está formada por rectificadores de recuperación ultrarrápida con una estructura interna basada en una barrera Schottky propia que proporciona una recuperación fácil y rápida en cualquier condición de diF/dt. Estas características hacen que los productos HEXFRED® sean ideales para uso con un diodo complementario para IGBT y MOSFET.
Características
Tiempo de recuperación ultrarrápido
Recuperación fácil
IRRM muy baja
Qrr muy baja
Interferencias de radiofrecuencia (RFI) e interferencias electromagnéticas (EMI) reducidas
Menor pérdida de potencia en el diodo y en el transistor de conmutación
Amortiguación reducida
Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor
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€ 5,17
€ 5,17 Each (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,17 |
| 10 - 49 | € 4,66 |
| 50 - 99 | € 4,19 |
| 100 - 249 | € 3,87 |
| 250+ | € 3,56 |
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Caída de tensión directa máxima
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Rectificadores de recuperación ultrarrápida HEXFRED®, Vishay Semiconductor
La gama de productos HEXFRED® de Vishay está formada por rectificadores de recuperación ultrarrápida con una estructura interna basada en una barrera Schottky propia que proporciona una recuperación fácil y rápida en cualquier condición de diF/dt. Estas características hacen que los productos HEXFRED® sean ideales para uso con un diodo complementario para IGBT y MOSFET.
Características
Tiempo de recuperación ultrarrápido
Recuperación fácil
IRRM muy baja
Qrr muy baja
Interferencias de radiofrecuencia (RFI) e interferencias electromagnéticas (EMI) reducidas
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