Diodo, VS-CPU6006-N3, Rectificador de recuperación, 30A, 600V Conexión de silicio, 110ns, TO-247AC, 3-Pines 1.65V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Corriente Continua Máxima Directa
30A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
600V
Configuración de diodo
Cátodo común
Tipo de Rectificador
Rectificador de recuperación
Tipo de Diodo
Rectifier
Conteo de Pines
3
Caída de tensión directa máxima
1.65V
Número de Elementos por Chip
2
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Tiempo de Recuperación Inverso de Pico
110ns
Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico
300A
País de Origen
China
Datos del producto
Rectificadores de recuperación hiperrápida FRED Pt®
La gama de productos FRED Pt® (diodo epitaxial de recuperación rápida) de Vishay está formada por diodos hiperrápidos con tecnología de dopaje de platino (Pt). Esta serie ofrece corrientes de fugas extremadamente bajas a altas temperaturas junto con una alta temperatura de conexión de funcionamiento máxima de 175 °C. Los tiempos de recuperación típicos son de 35 seg o menos.
Funciones de la gama
Funciones de la gama
VRRM de 200 V → 600 V
Qrr más bajo a 125 °C
Vf más baja a IF
Eficiencia mejorada en fuentes de alimentación de modo conmutado
Recuperación fácil para EMI reducidas a dIF/dT
TJ (máx.) 175 °C
Certificación AEC-Q101
Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,63 |
| 10 - 49 | € 3,27 |
| 50 - 99 | € 3,10 |
| 100 - 249 | € 2,98 |
| 250+ | € 2,90 |
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Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico
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Rectificadores de recuperación hiperrápida FRED Pt®
La gama de productos FRED Pt® (diodo epitaxial de recuperación rápida) de Vishay está formada por diodos hiperrápidos con tecnología de dopaje de platino (Pt). Esta serie ofrece corrientes de fugas extremadamente bajas a altas temperaturas junto con una alta temperatura de conexión de funcionamiento máxima de 175 °C. Los tiempos de recuperación típicos son de 35 seg o menos.
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VRRM de 200 V → 600 V
Qrr más bajo a 125 °C
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Eficiencia mejorada en fuentes de alimentación de modo conmutado
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