Diodo, V12P10-M3/86A, Rectificador Schottky, 12A, 100V Barrera Schottky, TO-277A, 3-Pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-277A
Corriente Continua Máxima Directa
12A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
100V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Rectificador
Rectificador Schottky
Tipo de Diodo
Schottky
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Barrera Schottky
Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico
200A
País de Origen
China
Datos del producto
TMBS - Rectificadores de barrera Schottky MOS tipo trinchera, hasta 20 A, Vishay Semiconductor
Los rectificadores de barrera Schottky MOS tipo trinchera (TMBS) de Vishay cuentan con una estructura de tipo trinchera patentada. Los rectificadores TMBS ofrecen varias ventajas respecto a los rectificadores Schottky de tecnología planar. A tensiones de funcionamiento de 45 V y superiores, los rectificadores Schottky de tecnología planar pueden perder sus ventajas de altas velocidades de conmutación y baja caída directa de tensión a un nivel importante. La estructura TMBS patentada resuelve estos problemas al disminuir la inyección de portadores minoritarios a la zona de derivación, de manera que se minimizan las cargas almacenadas y se mejoran las velocidades de conmutación.
Características
Estructura tipo trinchera patentada
Eficiencia mejorada en fuentes de alimentación de modo conmutado ac/dc y convertidores dc/dc
Alta densidad de potencia y baja tensión directa
Schottky Rectifiers, Vishay Semiconductor
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$ 613,27
$ 0,409 Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
1500
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Los rectificadores de barrera Schottky MOS tipo trinchera (TMBS) de Vishay cuentan con una estructura de tipo trinchera patentada. Los rectificadores TMBS ofrecen varias ventajas respecto a los rectificadores Schottky de tecnología planar. A tensiones de funcionamiento de 45 V y superiores, los rectificadores Schottky de tecnología planar pueden perder sus ventajas de altas velocidades de conmutación y baja caída directa de tensión a un nivel importante. La estructura TMBS patentada resuelve estos problemas al disminuir la inyección de portadores minoritarios a la zona de derivación, de manera que se minimizan las cargas almacenadas y se mejoran las velocidades de conmutación.
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